四川最新版金七乐:ALD設備

3d和值尾带连线专业版 www.ovbqv.com 發布時間:2019-11-19 瀏覽次數:0

產品介紹

一、設備概述:
       PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統是專門為特殊應用領域的科學研究與工業開發用戶而設計的單片沉積系統,系統電氣完全符合CE標準;該系統擴展了普通原子層沉積系統對前驅體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度,廣泛應用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

二、產品優勢:
      先進的軟件控制系統:系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體.

三、技術指標:
       基片尺寸 8英寸及以下
   基片加熱溫度 室溫~500℃,控制精度±0.1℃
   前驅體輸運系統 標準3路前驅體管路,可選配
   前驅體管路溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
   源瓶加熱溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
    ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥
    本底真空 <5*10-5Torr,進口防腐泵
    載氣系統 N2或者Ar
    生長模式 高速沉積模式和停留生長模式
    等離子體源 300W 感應耦合遠程等離子體
    等離子體放電氣源 標準3路,可選配
    控制系統 PLC+觸摸屏或者顯示器
    電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源
    沉積非均勻性 非均勻性<±1%
    設備尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm

四、可沉積薄膜種類:
       單 質:Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
   氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
   氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
   其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

五、ALD應用實例:
       高K柵氧化層,存儲容性電介質,銅互連中高深寬比擴散阻擋層,OLED無針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結構鍍膜,特種光纖摻雜,太陽能電池,平板顯示器,光學薄膜,其它各類特殊結構納米薄膜
 

商家資料

公司名稱 北京維意真空技術應用有限責任公司
公司地址: 北京市大興區舊橋路25號院
公司電話: 010-67947887
傳真: 010-67947887
公司簡介: 公司名稱(現用名):北京維意真空技術應用有限責任公司 公司名稱(曾用名):北京科立方真空技術應用有限公司 覆蓋區域:北京、天津、河北 北京維意真空技術應用有限責任公司,原名北京科立方真空技術應用有限公司,創立于2013年,位于中國·首都北京密云經濟技術開發區,主體經營分為真空配件銷售、真空設備定制、淺藍納米科技三個部分,是北京從事真空產品設計、制造、銷售、維修、保養于一體的專業性的公司,公司擁有一支專業、優秀的產品技術工程師和維修技術工程師,具有豐富的行業經驗,同時還與北京工業大學聯合研發等離子體增強化學氣相沉積系統,與北京交通大學聯合研發原子層沉積系統,滿足高校、研究所的教學、科研使用,同時減少相關進口設備的市場占有率,并力爭創造外匯,打出中國創造的名牌! 我們的客戶遍布北京各高校和研究院所、部分軍工單位和電力試驗所、各級的材料、物理、化學、納米等研究領域尖端的實驗室,期待您就是我們的下一位客戶、朋友! 您的滿意微笑是我們一直努力追求的經營目標! 技術創新、業務專業、服務誠信是我們一直遵循的經營理念! 我們熱誠歡迎國內外先進的儀器制造商及科學工作者與我們聯系開展各層面的合作,打造成一流的真空系統產品、等離子體增強化學氣相沉積系統和原子層沉積系統供應商。
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